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Transistor Igbt 30f123 300v 200A
$2.50
- Tipo de Transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
- Polaridad: Canal N (N-Channel).
- Voltaje Colector-Emisor (VCES): 300 V.
- Corriente Continua de Colector (IC): 30 A (con picos de hasta 200A).
- Potencia Disipada (PD): 25 W.
- Encapsulado (Paquete): TO-220F (o TO-220SIS).
- Fabricante: Toshiba (parte de la serie GT30F123).
Aplicaciones Típicas:
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
- Inversores industriales.
- Controladores de motores.
- Electrónica de potencia en general, donde se requiere conmutar alta potencia
10 disponibles
