Transistor Igbt 30f123 300v 200A

Transistor Igbt 30f123 300v 200A

$2.50

Tipo de Transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Polaridad: Canal N (N-Channel).
Voltaje Colector-Emisor (VCES): 300 V.
Corriente Continua de Colector (IC): 30 A (con picos de hasta 200A).
Potencia Disipada (PD): 25 W.
Encapsulado (Paquete): TO-220F (o TO-220SIS).
Fabricante: Toshiba (parte de la serie GT30F123).

Aplicaciones Típicas:

Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
Inversores industriales.
Controladores de motores.
Electrónica de potencia en general, donde se requiere conmutar alta potencia

10 disponibles

Categoría: Electronica basica y Avanzada